收藏本站
DMP2066LSS
20
10,000
T A = 25°C
f = 1MHz
16
12
1,000
8
4
C oss
C rss
C iss
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
100
0
5 10 15
20
100
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Diode Forward Voltage vs. Current
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 8 Typical Total Capacitance
10
R DS(on)
Limited
DC
P W = 10 μs
1
0.1
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 1ms
P W = 100μs
0.01
0.1
1 10
100
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 SOA, Safe Operation Area
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
SO-8
Dim
A
Min
-
Max
1.75
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A1
A2
A3
b
0.10
1.30
0.15
0.3
0.20
1.50
0.25
0.5
Detail ‘A’
D
E
4.85
5.90
4.95
6.10
e
b
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
Detail ‘A’
E1 3.85 3.95
e 1.27 Typ
h - 0.35
L 0.62 0.82
θ 0 ° 8 °
All Dimensions in mm
D
DMP2066LSS
Document number: DS31522 Rev. 3 - 2
4 of 5
www.diodes.com
November 2013
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMP2066UFDE-7 MOSF P CH 20V 6.2A U-DFN2020-6E
DMP2069UFY4-7 MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN
DMP2070UCB6-7 MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
DMP2100UCB9-7 MOSFET P CH 20V 3A U-WLB1515-9
DMP2104LP-7 MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN
DMP2104V-7 MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563
DMP2123L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
DMP2130L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
相关代理商/技术参数
DMP2066LVT-7 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P-CH 20V TSOT26
DMP2066UFDE 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:25V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP2066UFDE-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2069UFY4 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP2069UFY4-7 功能描述:MOSFET MOSFET P-CHAN. RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2070UCB6-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 U-WLB1015-6 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2100U-7 制造商:Zetex / Diodes Inc 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A T/R 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:20V P-CH MOSFET
DMP2100UCB9-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1515-9 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube